Kísilkarbíð framleiðsluiðnaður

Í samanburði viðbyggt á sílikonhálfleiðaraefni, þriðju kynslóðar hálfleiðaraefni táknað með kísilkarbíði (SiC) hafa marga kosti eins og hátt niðurbrot rafsviðs, mikinn mettað rafeindarekshraða og mikla hitaleiðni.

Kísilkarbíð raforkutæki eru aðallega notuð á aflmiklum sviðum, svo sem nýjum orkutækjum, ljósorkugeymslu, járnbrautarflutningi og öðrum sviðum, sérstaklega á sviði farartækja. Á næstu árum munu forrit eins og innbyggðir aðalinverterar og hleðslueiningar halda áfram að vaxa á miklum hraða.

Sem stendur hafa innlend fyrirtæki flýtt fyrir inngöngu sinni í kísilkarbíðiðnaðarkeðjuna og fjármagnsútgjöld hafa hraðað, sem leiðir til örs vaxtar allra hlekkja iðnaðarkeðjunnar.

Samkvæmt skýrslu Yole mun markaðsstærð kísilkarbíðrafltækja fara yfir 6 milljarða dollara árið 2027, með samsettan árlegan vöxt meira en 30%.

Kísilkarbíð byggt aflkeðja tækjaiðnaðarins felur aðallega í sér undirbúning kísilkarbíðs undirlags í andstreymi, vöxt æðalags, framleiðsla á miðstraumstækjum og markaði fyrir notkun á eftirleiðis.

Undirbúningsferlið undirlags er aðallega til að búa til háhreint kolefnisduft og háhreint kísilduft í kísilkarbíðduft. Undir sérstöku hitastigi er eðlisfræðilega gufuflutningsaðferðin (PVT aðferð) aðallega notuð til að rækta kísilkarbíð kristalhleif af mismunandi stærðum og kísilkarbíð hvarfefnið er framleitt eftir marga ferla.

Epitaxial tengið er aðallega á kísilkarbíð hvarfefninu og epitaxial lakið er myndað á yfirborði undirlagsins með efnagufuútfellingu (CVD) aðferð.

Meðal þeirra er kísilkarbíð þekjuplata útbúin með því að vaxa kísilkarbíð epitaxial lag á leiðandi kísilkarbíð hvarfefni, sem hægt er að gera frekar í raforkutæki og beita í nýjum orkutækjum, ljósvökva, járnbrautarflutningi, snjallneti, geimferðum og öðrum sviðum. Kísilundirstaða gallíumnítríð (GaN-on-SiC) epitaxial lakið er útbúið með því að rækta gallíumnítríð epitaxial lag á hálfeinangruðu kísilkarbíð hvarfefni, sem hægt er að útbúa frekar í örbylgjuofn RF tæki og beita á 5G samskiptasviðum.

Frá framleiðslukostnaðaruppbyggingu kísilkarbíðtækja er undirlagskostnaðurinn stærsti, sem nemur 47%; Annað er aukinn kostnaður, sem nemur 23%. Þessir tveir ferlar eru mikilvægir þættir SiC tækja.

maq per Qat: kísilkarbíð framleiðsluiðnaður, Kína kísilkarbíð framleiðsluiðnaður framleiðendur, birgjar